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Publiée 9 juin 2026

Chercheur en matériaux ferroélectriques - projet NextAI (F/H)

Grenoble INP Recrutement
Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes 38000, France CDI

A propos

Grand établissement public d'enseignement supérieur, pôle de recherche reconnu, élément fondateur de l'écosystème grenoblois : Grenoble INP, l'institut d'ingénierie et de management de l'Université Grenoble Alpes (UGA), occupe une place de premier plan dans la communauté scientifique et industrielle.

Grenoble INP - UGA est membre de réseaux internationaux de formation et recherche en ingénierie et management.

Il est reconnu dans les classements nationaux et internationaux.

Laboratoire LTM (Laboratoire des Technologies de la Microélectronique)

Le LTM est un laboratoire de recherche commun au CEA, au CNRS et à l'Université Grenoble Alpes, situé à Grenoble. Il est spécialisé dans les technologies avancées de la microélectronique et des nanotechnologies.
Le laboratoire développe des dispositifs innovants pour l'électronique, les capteurs, les micro-systèmes et les technologies quantiques, en combinant recherche fondamentale et applications industrielles.
Grâce à ses plateformes technologiques de pointe, le LTM joue un rôle clé dans l'écosystème scientifique et industriel grenoblois, contribuant au développement de solutions performantes et durables dans le domaine de la nanoélectronique.

Votre mission

Dans le cadre du projet Européen « NeAIxt » de type CIPS JU IA, le LTM a obtenu le financement de 60 mois de chercheur pour conduire une recherche sur les matériaux ferroélectriques en vue de concevoir et de réaliser des cellules mémoires non volatiles.

La mission principale du chercheur consiste à élaborer des structures de types métal-isolant-métal (MIM) par dépôts de couches atomiques (ALD), d'étudier leurs propriétés ferroélectriques et d'en caractériser les performances en termes d'endurance, c'est-à-dire leur capacité à supporter un grand nombre de cyclage de la polarisation ferroélectrique. Il s'agit ensuite d'intégrer ces structures dans une matrice de des cellules mémoires adressées par des transistors dans l'objectif de réaliser un démonstrateur pré-industriel.

Le profil idéal

- Connaissances :

- Maitrise de Techniques de caractérisation électrique de type polarisation-tension (P-V), courant-tension (I-V et capacité-tension (C-V).

- Maitrise des techniques de caractérisation en radiofréquences de composants passifs intégrés.

- Maitrise de la Physique de dispositifs électroniques intégrés

- Maitrise de la physique des matériaux (cristallographie, ferroélectricité, ...)

- Savoir-Faire :

- Savoir réaliser des bacs de test en radiofréquences dédiés aux composants passifs intégrés du type MIM.

- Savoir réaliser des caractérisations électriques de type G-w et interpréter les résultats.

- Savoir utiliser un équipement de mesures ferroélectriques, réaliser des cycle d'hystéresis polarisation-tension et les interpréter

- Savoir rédiger un article scientifique, de le soumettre pour pubication et de suivre les échanges avec l'éditeur et les rapporteurs.

- Savoir-être :

- Avoir la capacité de prendre des initiatives.

- Être autonome dans la réalisation de ses missions.

- Avoir la capacité d'encadrer des chercheurs juniors, notamment niveau Master.

- Avoir la capacité de travailler en équipe.

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